IBM公司7月11日宣布,該公司將在未來(lái)5年投資30億美元開(kāi)展兩項(xiàng)廣泛研究及早期開(kāi)發(fā)計(jì)劃,以推動(dòng)突破芯片技術(shù)極限,滿足云計(jì)算和大數(shù)據(jù)系統(tǒng)的新興需求。這些投資將推動(dòng)IBM的半導(dǎo)體創(chuàng)新,從目前的有所突破,發(fā)展到更面向未來(lái)所需要的領(lǐng)先技術(shù)。
第一項(xiàng)研究計(jì)劃針對(duì)于“7納米及以下”的硅技術(shù),這將應(yīng)對(duì)那些芯片制造上面重要的物理工藝挑戰(zhàn),這些挑戰(zhàn)已經(jīng)威脅到了現(xiàn)有的半導(dǎo)體技術(shù)進(jìn)一步發(fā)展和制造能力的拓展。
第二項(xiàng)研究計(jì)劃集中于為后硅時(shí)代芯片開(kāi)發(fā)出替代技術(shù),IBM科學(xué)家和其他專家將采用完全不同的方法來(lái)實(shí)現(xiàn)這些技術(shù),因?yàn)楣杌雽?dǎo)體存在著物理極限。
云計(jì)算和大數(shù)據(jù)的應(yīng)用又對(duì)系統(tǒng)提出了新的挑戰(zhàn),這是因?yàn)榈讓拥男酒夹g(shù)正面臨著眾多顯著的物理極限。內(nèi)存帶寬、高速通信和設(shè)備功耗正逐漸成為日益關(guān)鍵的挑戰(zhàn)。
該研究團(tuán)隊(duì)將由來(lái)自紐約州Albany和Yorktown、加利福尼亞州Almaden,以及瑞士蘇黎世的IBM研究院科學(xué)家和工程師組成。不僅如此,IBM還將在眾多新興研究領(lǐng)域進(jìn)行大規(guī)模招聘,這些領(lǐng)域包括碳納米電子學(xué)、硅光子學(xué)、新內(nèi)存技術(shù),以及支持量子和認(rèn)知計(jì)算的架構(gòu)。這些團(tuán)隊(duì)將專注于在系統(tǒng)級(jí)性能和高能效計(jì)算方面進(jìn)行研究并實(shí)現(xiàn)突破。此外,IBM將繼續(xù)投資于納米科學(xué)和量子計(jì)算。
為了減少電子產(chǎn)品的能耗,IBM的科學(xué)家正在研究隧道場(chǎng)效應(yīng)晶體管(TFET)。在這種特殊類型的晶體管中,“帶—帶”隧穿的量子力學(xué)效應(yīng)被用來(lái)驅(qū)動(dòng)電流流過(guò)晶體管。與互補(bǔ)CMOS晶體管相比,TFET的能耗可以降低100倍,這樣一來(lái),把TFET與CMOS技術(shù)整合到一起就可以提升低功耗集成電路性能。
“下一個(gè)十年,硬件系統(tǒng)將會(huì)和今天有根本上的不同,我們的科學(xué)家和工程師正在推動(dòng)突破半導(dǎo)體創(chuàng)新的局限,探索后硅時(shí)代、半導(dǎo)體技術(shù)的未來(lái)。”IBM高級(jí)副總裁、系統(tǒng)與科技部負(fù)責(zé)人表示,“IBM的研究和開(kāi)發(fā)團(tuán)隊(duì)正在創(chuàng)造的是顛覆式創(chuàng)新,將會(huì)引領(lǐng)下一個(gè)計(jì)算時(shí)代的到來(lái)。”